特許
J-GLOBAL ID：202103005882930435
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-026568
公開番号（公開出願番号）：特開2021-132118
出願日： 2020年02月19日
公開日（公表日）： 2021年09月09日
要約：
【課題】フッ素系ガスを用いずに、ガリウムを含む窒化物層に対するシリコンを含む窒化物層のエッチング選択比を向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、塩素原子又は臭素原子を含むガスのエッチャントを発生させる工程と、エッチャントにより第1窒化物層の上の第2窒化物層を選択的に除去する工程と、を有し、エッチャントを発生させる工程で、エッチャントはガスのプラズマ化により発生され、第2窒化物層を選択的に除去する工程で、紫外線が第2窒化物層と第1窒化物層とへ照射されることが妨げられ、第2窒化物層を選択的に除去する工程は、Si原子とガスに含まれる塩素原子又は臭素原子とを含むSi化合物の第1飽和蒸気圧より低く、Ga原子とガスに含まれる塩素原子又は臭素原子とを含むGa化合物の第2飽和蒸気圧より高い第1圧力の第1雰囲気下で第2窒化物層をエッチングする工程を有する。【選択図】図14
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上のガリウムを含む第1窒化物層と、前記第1窒化物層の上のシリコンを含む第2窒化物層とを含む半導体装置の製造方法であって、
塩素原子又は臭素原子を含むガスのエッチャントを発生させる工程と、
前記エッチャントにより前記第1窒化物層に対して前記第2窒化物層を選択的に除去する工程と、
を有し、
前記エッチャントを発生させる工程において、前記エッチャントは前記ガスのプラズマ化により発生され、
前記第2窒化物層を選択的に除去する工程において、前記プラズマ化の際に発生する紫外線が前記第2窒化物層と前記第1窒化物層とへ照射されることが妨げられ、
前記第2窒化物層を選択的に除去する工程は、シリコン原子と前記ガスに含まれる塩素原子又は臭素原子とを含むシリコン化合物の第1飽和蒸気圧より低く、ガリウム原子と前記ガスに含まれる塩素原子又は臭素原子とを含むガリウム化合物の第2飽和蒸気圧より高い第1圧力の第1雰囲気下で前記第2窒化物層をエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
H01L21/302 301Z
, H01L29/80 H
5F004AA02
, 5F004BA03
, 5F004BA20
, 5F004BB28
, 5F004CA02
, 5F004DA13
, 5F004DB07
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GR01
, 5F102GS01
, 5F102GS04
, 5F102GT01
, 5F102GV08
, 5F102HC01
, 5F102HC15
