特許
J-GLOBAL ID：202103008183381468
気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
永井 浩之
, 中村 行孝
, 佐藤 泰和
, 朝倉 悟
, 関根 毅
, 赤岡 明
, 鈴木 健之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-167132
公開番号（公開出願番号）：特開2018-037456
特許番号：特許第6786307号
出願日： 2016年08月29日
公開日（公表日）： 2018年03月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反応室内に設けられた支持部に基板を載置し、
回転軸を中心に1300rpm以上2000rpm以下の回転速度で前記支持部とともに前記基板を回転させながら、前記反応室上方より前記基板上に有機金属を含有する原料ガスを供給し、前記基板上の基板中心から少なくとも60mmまでの領域にIII-V族半導体層を成長させ、
前記原料ガスは、Al含有ガスおよびN含有ガスを含み、
前記III-V族半導体層は、AlおよびNを含むことを特徴とする気相成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C23C 16/34
, H01L 29/80 H
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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