特許
J-GLOBAL ID：202103011034078800
磁気検出装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大窪 克之
, 野▲崎▼ 照夫
, 松下 昌弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-566391
特許番号：特許第6978517号
出願日： 2018年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1固定磁性層と第1フリー磁性層とが積層された第1磁気抵抗効果膜を備える第1磁気検出素子、および第2固定磁性層と第2フリー磁性層とが積層された第2磁気抵抗効果膜を備える第2磁気検出素子を有するフルブリッジ回路を備える磁気検出装置であって、
前記フルブリッジ回路は、前記第1磁気検出素子と前記第2磁気検出素子とが直列に接続されてなる第1ハーフブリッジ回路と、前記第2磁気検出素子と前記第1磁気検出素子とが直列に接続されてなる第2ハーフブリッジ回路と、が、電源端子とグランド端子との間で並列接続されてなり、
前記第1磁気検出素子と前記第2磁気検出素子とは同一の基板上に設けられ、
前記第1磁気抵抗効果膜において、
前記第1固定磁性層と、前記第1固定磁性層の前記第1フリー磁性層に対向する側とは反対側に積層された第1固定用反強磁性層とが第1固定用交換結合膜を構成し、
前記第1フリー磁性層と、前記第1フリー磁性層の前記第1固定磁性層に対向する側とは反対側に積層された第1バイアス用反強磁性層とが第1バイアス用交換結合膜を構成し、
前記第2磁気抵抗効果膜において、
前記第2固定磁性層と、前記第2固定磁性層の前記第2フリー磁性層に対向する側とは反対側に積層された第2固定用反強磁性層とが第2固定用交換結合膜を構成し、
前記第2フリー磁性層と、前記第2フリー磁性層の前記第2固定磁性層に対向する側とは反対側に積層された第2バイアス用反強磁性層とが第2バイアス用交換結合膜を構成し、
前記第1固定磁性層の固定磁化軸と前記第2固定磁性層の固定磁化軸とは共軸に設定され、
前記第1バイアス用交換結合膜の交換結合磁界の方向と前記第1固定磁性層の固定磁化軸の方向とは非平行に設定され、前記第2バイアス用交換結合膜の交換結合磁界の方向と前記第2固定磁性層の固定磁化軸の方向とは非平行に設定され、
前記第1固定用反強磁性層のブロッキング温度Tbf1および前記第2固定用反強磁性層のブロッキング温度Tbf2は、それぞれ、前記第1バイアス用反強磁性層のブロッキング温度Tb1および前記第2バイアス用反強磁性層のブロッキング温度Tb2のいずれよりも高く、
前記第1バイアス用反強磁性層のブロッキング温度Tb1は前記第2バイアス用反強磁性層のブロッキング温度Tb2よりも高いこと
を特徴とする磁気検出装置。
IPC (2件)：
G01R 33/09 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
G01R 33/09
, H01L 43/08 A
, H01L 43/08 U
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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