特許
J-GLOBAL ID：200903042597119275
磁界検出器及び回転角度検出装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-134078
公開番号（公開出願番号）：特開2008-286739
出願日： 2007年05月21日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】磁界検出範囲を極端に狭めることなく、小型化が可能で量産性に優れた多軸方向の磁界を検出できる磁界検出器並びにこの磁界検出器を用いた回転角度検出装置を提供することを目的とする。【解決手段】磁化方向が反強磁性層8により固定される固着層9と、外部印加磁界により磁化方向が変化する自由層11と、固着層9と自由層11との間に配置されるトンネル絶縁層10をそれぞれ有する第1の磁気抵抗効果素子1aおよび第2の磁気抵抗効果素子1bが基板上に形成される。第1の磁気抵抗効果素子の反強磁性層8と固着層9間の接合面におけるブロッキング温度は、第2の磁気抵抗効果素子の反強磁性層8と固着層9間の接合面におけるブロッキング温度と異なり、かつ第1の磁気抵抗効果素子1aにおける固着層9の磁化方向は、第2の磁気抵抗効果素子1bにおける固着層9の磁化方向と異なることを特徴とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板上に形成した第1の磁気抵抗効果素子と第2の磁気抵抗効果素子を形成した磁界検出器において、
前記第1の磁気抵抗効果素子は、第1の反強磁性層と、前記第1の反強磁性層により磁化方向が固定される第1の固着層と、外部磁界により磁化方向が変化する第1の自由層と、前記第1の固着層と前記第1の自由層との間に配置される第1のトンネル絶縁層を有し、
前記第2の磁気抵抗効果素子は、第2の反強磁性層と、前記第2の反強磁性層により磁化方向が固定される第2の固着層と、前記外部磁界により磁化方向が変化する第2の自由層と、前記第2の固着層と前記第2の自由層との間に配置される第2のトンネル絶縁層を有し、
前記第1の反強磁性層と前記第1の固着層間の接合面における第1のブロッキング温度は、前記第2の反強磁性層と前記第2の固着層間の接合面における第2のブロッキング温度と異なり、
かつ、前記第1の固着層の磁化方向は前記第2の固着層の磁化方向と異なることを特徴とする磁界検出器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
2G017AA03
, 2G017AD55
, 2G017AD56
, 2G017AD64
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
