特許

J-GLOBAL ID：202103013321137003

水酸化ニッケル薄膜の製造方法及び二次電池

発明者： 津國 和之 ,  小笠原 樹理 ,  久保 宏気 ,  殿川 孝司 ,  川原村 敏幸 ,  佐藤 翔太
出願人/特許権者： 株式会社日本マイクロニクス ,  高知県公立大学法人
代理人 (3件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  松永 宣行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-000182
公開番号（公開出願番号）：特開2021-109784
出願日： 2020年01月06日
公開日（公表日）： 2021年08月02日
要約：

【課題】膜厚が略均一かつ、ミストの噴射時間を調整することにより膜厚制御が容易な水酸化ニッケル薄膜の製造方法、及び水酸化ニッケル薄膜を正極とした二次電池を提供する。【解決手段】水酸化ニッケル薄膜の製造方法は、水酸化ニッケルナノ粒子が分散している分散液を作製する第1の工程と、分散液を超音波でミスト化し、水酸化ニッケルナノ粒子が内在した水酸化ニッケル溶液ミストを作製する第2の工程と、水酸化ニッケル溶液ミストを不活性ガスで輸送する第3の工程と、加熱した基板の上に、第3の工程で輸送された水酸化ニッケル溶液ミストを排出する第4の工程を有する。上記の水酸化ニッケル薄膜の製造方法を適用して形成された水酸化ニッケルを正極活物質層に備える二次電池。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水酸化ニッケルナノ粒子が分散している分散液を作製する第1の工程と、 前記分散液を超音波でミスト化し、水酸化ニッケルナノ粒子が内在した水酸化ニッケル溶液ミストを作製する第2の工程と、 前記水酸化ニッケル溶液ミストを不活性ガスで輸送する第3の工程と、 加熱した基板の上に、前記第3の工程で輸送された前記水酸化ニッケル溶液ミストを排出する第4の工程を有する、水酸化ニッケル薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

C01G 53/04 ,  H01M 4/52 ,  H01M 4/48 ,  H01M 4/36 ,  H01M 10/36 ,  H01M 10/39 ,  H01M 10/38

FI (7件)：

C01G53/04 ,  H01M4/52 ,  H01M4/48 ,  H01M4/36 E ,  H01M10/36 A ,  H01M10/39 Z ,  H01M10/38

Fターム (25件)：

4G048AA02 ,  4G048AB03 ,  4G048AC06 ,  4G048AD02 ,  4G048AD03 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK02 ,  5H029AK11 ,  5H029AK18 ,  5H029AL02 ,  5H029AL18 ,  5H029AM11 ,  5H029CJ08 ,  5H029HJ02 ,  5H050AA19 ,  5H050BA15 ,  5H050CA03 ,  5H050CA04 ,  5H050CA17 ,  5H050CA29 ,  5H050CB02 ,  5H050CB29 ,  5H050DA13 ,  5H050GA10 ,  5H050HA02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光記録による金属パタ-ン形成方法、並びにこれを用いた電子素子及び光学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-012032   出願人：富士写真フイルム株式会社