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J-GLOBAL ID：202103013321137003

水酸化ニッケル薄膜の製造方法及び二次電池

Inventor： 津國 和之 ,  小笠原 樹理 ,  久保 宏気 ,  殿川 孝司 ,  川原村 敏幸 ,  佐藤 翔太
Applicant, Patent owner： 株式会社日本マイクロニクス ,  高知県公立大学法人
Agent (3)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  松永 宣行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020000182
Publication number (International publication number)：2021109784
Application date： Jan. 06, 2020
Publication date： Aug. 02, 2021
Summary：

【課題】膜厚が略均一かつ、ミストの噴射時間を調整することにより膜厚制御が容易な水酸化ニッケル薄膜の製造方法、及び水酸化ニッケル薄膜を正極とした二次電池を提供する。【解決手段】水酸化ニッケル薄膜の製造方法は、水酸化ニッケルナノ粒子が分散している分散液を作製する第1の工程と、分散液を超音波でミスト化し、水酸化ニッケルナノ粒子が内在した水酸化ニッケル溶液ミストを作製する第2の工程と、水酸化ニッケル溶液ミストを不活性ガスで輸送する第3の工程と、加熱した基板の上に、第3の工程で輸送された水酸化ニッケル溶液ミストを排出する第4の工程を有する。上記の水酸化ニッケル薄膜の製造方法を適用して形成された水酸化ニッケルを正極活物質層に備える二次電池。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

水酸化ニッケルナノ粒子が分散している分散液を作製する第1の工程と、 前記分散液を超音波でミスト化し、水酸化ニッケルナノ粒子が内在した水酸化ニッケル溶液ミストを作製する第2の工程と、 前記水酸化ニッケル溶液ミストを不活性ガスで輸送する第3の工程と、 加熱した基板の上に、前記第3の工程で輸送された前記水酸化ニッケル溶液ミストを排出する第4の工程を有する、水酸化ニッケル薄膜の製造方法。

IPC (7)：

C01G 53/04 ,  H01M 4/52 ,  H01M 4/48 ,  H01M 4/36 ,  H01M 10/36 ,  H01M 10/39 ,  H01M 10/38

FI (7)：

C01G53/04 ,  H01M4/52 ,  H01M4/48 ,  H01M4/36 E ,  H01M10/36 A ,  H01M10/39 Z ,  H01M10/38

F-Term (25)：

4G048AA02 ,  4G048AB03 ,  4G048AC06 ,  4G048AD02 ,  4G048AD03 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK02 ,  5H029AK11 ,  5H029AK18 ,  5H029AL02 ,  5H029AL18 ,  5H029AM11 ,  5H029CJ08 ,  5H029HJ02 ,  5H050AA19 ,  5H050BA15 ,  5H050CA03 ,  5H050CA04 ,  5H050CA17 ,  5H050CA29 ,  5H050CB02 ,  5H050CB29 ,  5H050DA13 ,  5H050GA10 ,  5H050HA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 光記録による金属パタ-ン形成方法、並びにこれを用いた電子素子及び光学素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-012032   Applicant：富士写真フイルム株式会社

Cited by examiner (1)

• 光記録による金属パタ-ン形成方法、並びにこれを用いた電子素子及び光学素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-012032   Applicant：富士写真フイルム株式会社