特許
J-GLOBAL ID：202103015492226910
シリコン酸化膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人まこと国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-087076
公開番号（公開出願番号）：特開2017-197789
特許番号：特許第6929021号
出願日： 2016年04月25日
公開日（公表日）： 2017年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チャンバ内に配置された載置台に基板を載置し、前記チャンバに設けられたガス導入部から該チャンバ内に処理ガスを導入してプラズマ成膜処理を実行することで、前記基板上にシリコン酸化膜を成膜する、シリコン酸化膜の製造方法であって、
前記チャンバ内に導入する処理ガスに、流量が80sccm以上である水素ガスが含まれ、
前記ガス導入部に周波数が20kHz〜100MHzで、大きさが1〜1000Wの第1高周波電力を印加すると共に、前記載置台に周波数が10kHz〜27MHzで前記第1高周波電力の周波数よりも低く、大きさが1〜1000Wである第2高周波電力を印加して、フッ化水素(蒸気)又はバッファードフッ酸によるエッチングを施した場合に、厚み方向全体に亘るエッチングレートの変動率が30%以下であるシリコン酸化膜を製造することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。
ただし、前記変動率は、前記シリコン酸化膜の厚み方向全体に亘るエッチングレートの変動幅をエッチングレートの平均値で除算した値を意味する。
IPC (3件)：
C23C 16/40 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
C23C 16/40
, H01L 21/316 X
, H01L 21/31 C
