特許
J-GLOBAL ID：202103018825954462
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-123889
公開番号（公開出願番号）：特開2020-004881
特許番号：特許第6932109号
出願日： 2018年06月29日
公開日（公表日）： 2020年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ウエハの主面の複数の第1領域に複数の半導体装置をそれぞれ形成することを備え、前記複数の第1領域は、第1の方向と前記第1の方向に交差する第2の方向とに沿って配列されており、
前記ウエハの前記主面の第2領域にダイシング溝を形成することを備え、前記第2領域は前記複数の第1領域の間にあり、かつ、前記第2の方向に沿って延在しており、さらに、
前記第2領域にブレードを押し当てながら、前記ダイシング溝に沿って前記ブレードを前記ウエハに対して相対的に移動させることにより、前記ウエハを分割することを備え、
前記ダイシング溝は前記第2の方向に沿って延在しており、かつ、複数の溝を含み、
前記複数の溝は、前記第1の方向に沿って配列されており、かつ、前記第2の方向に沿って延在しており、
前記複数の溝は、前記第1の方向における前記第2領域の両端から前記第1の方向における前記第2領域の中心に向かうにつれて、互いに隣り合う前記溝の間の間隔が減少するように形成されている、半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
H01L 21/78 F
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 B
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 652 R
, H01L 29/78 652 Q
