成膜方法、及び、半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-134347
公開番号（公開出願番号）：特開2020-011859
出願日： 2018年07月17日
公開日（公表日）： 2020年01月23日
要約：

【課題】スズがドープされた酸化ガリウム膜を速い成長速度で形成することを実現する。【解決手段】スズがドープされた酸化ガリウム膜を基体上に形成する成膜方法を提案する。この成膜方法は、前記基体を加熱しながら、ガリウム化合物と塩化スズ(IV)・5水和物が溶解した溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、を有する。この成膜方法によれば、ドナーとしてスズ(IV)を含む酸化ガリウム膜を速い成長速度で形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スズがドープされた酸化ガリウム膜を基体上に形成する成膜方法であって、前記基体を加熱しながら、ガリウム化合物と塩化スズ(IV)・5水和物が溶解した溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、を有する成膜方法。

IPC (4件)：

C30B 29/16 , C30B 25/00 , H01L 21/368 , H01L 21/365

FI (4件)：

C30B29/16 , C30B25/00 , H01L21/368 Z , H01L21/365

Fターム (52件)：

4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DB05 , 4G077DB06 , 4G077DB11 , 4G077DB21 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EG21 , 4G077FC06 , 4G077GA01 , 4G077GA07 , 4G077GA10 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TA11 , 4G077TB03 , 4G077TB04 , 4G077TB05 , 4G077TB07 , 4G077TB13 , 4G077TC02 , 4G077TC04 , 4G077TC06 , 4G077TE03 , 4G077TG04 , 5F045AB40 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045DP04 , 5F045DP07 , 5F045EK06 , 5F053AA50 , 5F053BB60 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053GG02 , 5F053GG03 , 5F053HH05

引用特許：

審査官引用 (9件)

透明電極用基材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-101972 出願人：株式会社フジクラ
透明導電性基板の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-132924 出願人：株式会社フジクラ
結晶性積層構造体の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-195871 出願人：株式会社FLOSFIA

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