特許

J-GLOBAL ID：202203010372024899

ゲルマニウム半導体装置の製造方法及びゲルマニウム半導体装置

発明者： 石川 靖彦 ,  中井 哲弥
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO ,  国立大学法人豊橋技術科学大学
代理人 (2件)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-010845
公開番号（公開出願番号）：特開2022-120811
出願日： 2022年01月27日
公開日（公表日）： 2022年08月18日
要約：

【課題】十分な厚さのゲルマニウム結晶層を短時間で成長させることが可能なゲルマニウム半導体装置の製造方法及びゲルマニウム半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明によるゲルマニウム半導体装置の製造方法は、{100}面方位を有するシリコン基板10の主面10aに<010>と平行なトレンチ11を形成する工程と、化学気相成長によりトレンチ11内にゲルマニウム20を埋め込む工程とを備える。化学気相成長は、原料ガスが分子流として供給される圧力条件下で行う。 【選択図】図3

請求項（抜粋）：

{100}面方位を有するシリコン基板の主面に<010>方向と平行なトレンチを形成する工程と、 化学気相成長により前記トレンチ内にゲルマニウムを埋め込む工程とを備え、 前記化学気相成長は、原料ガスが分子流として供給される圧力条件下で行うことを特徴とするゲルマニウム半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/08 ,  C30B 25/18

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C30B29/08 ,  C30B25/18

Fターム (23件)：

4G077AA03 ,  4G077BA05 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077HA06 ,  4G077TB02 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F045AA03 ,  5F045AA07 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AD10 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DB05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第5761754号公報
  
• 応力強化MOSトランジスタならびにその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-538390   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-016606   出願人：富士電機株式会社