特許
J-GLOBAL ID：202303002650261672

AlN単結晶の製造方法、AlN単結晶、およびAlN単結晶製造装置

発明者：
福山 博之

福山 博之 について

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大塚 誠

大塚 誠 について

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安達 正芳

安達 正芳 について

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宮田 麟太郎

宮田 麟太郎 について

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渡邉 康弘

渡邉 康弘 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について

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DOWAホールディングス株式会社

DOWAホールディングス株式会社 について


代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  福井 敏夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2023-023802
公開番号（公開出願番号）：特開2023-123390
出願日： 2023年02月17日
公開日（公表日）： 2023年09月05日
要約：
【課題】安価かつ連続的にAlN単結晶を製造することができるAlN単結晶の製造方法、AlN単結晶、およびAlN単結晶製造装置を提供する。 【解決手段】Alを含む合金を加熱、融解して前記合金の融液を形成する融液形成工程と、融液の一部を冷却して融液に温度勾配を設けつつ、AlN単結晶を析出させる析出工程と、を含むAlN単結晶の製造方法であって、析出工程では、融液内の高温部に窒素含有ガスを接触させるとともに、融液内の低温部にて単結晶のAlN種結晶又は結晶成長用の基板を保持することにより、高温部における融液への窒素の取り込みを継続しながら、低温部でAlN種結晶又は基板にAlN単結晶を析出させて、AlN単結晶を連続的に成長させる。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Alを含む合金を加熱、融解して前記合金の融液を形成する融液形成工程と、 前記融液の一部を冷却して前記融液に温度勾配を設けつつ、AlN単結晶を析出させる析出工程と、 を含むAlN単結晶の製造方法であって、 前記析出工程では、前記融液内の高温部に窒素含有ガスを接触させるとともに、前記融液内の低温部にて単結晶のAlN種結晶又は結晶成長用の基板を保持することにより、前記高温部における前記融液への窒素の取り込みを継続しながら、前記低温部で前記AlN種結晶又は前記基板に前記AlN単結晶を析出させて、前記AlN単結晶を連続的に成長させることを特徴とするAlN単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  C30B 19/02
FI (2件)：
C30B29/38 C ,  C30B19/02
Fターム (13件)：
4G077AB01 ,  4G077BE13 ,  4G077CG02 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EG02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA38 ,  4G077QA74
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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