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J-GLOBAL ID：200902132166025325   Reference number：00A0300140

Characterization of Polarity of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial GaN{0001} Film Using Coaxial Impact Collision lon Scattering Spectroscopy.

同軸衝撃衝突イオン散乱分光法を用いたプラズマ支援分子ビームエピタキシャルGaN{0001}膜の極性の特性評価

Author (6)： SONODA S (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SHIMIZU S (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SUZUKI Y (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  BALAKRISHNAN K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SHIRAKASHI J (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 39  Issue： 2A  Page： L73-L75  Publication year： Feb. 01, 2000 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ion scattering spectroscopy ,...
Semi thesaurus term： impact-collision ion scattering spectroscopy ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (7)：

• 1) J. M. Balanowski and S. Porowski: Semicond. Insul. Mater. 1996 (1996) 77.
• 2) S. Keller, B. P. Keller, Y.-F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J. S. Speck, U. K. Mishra and S. P. Denbaars: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1525.
• 3) A. Bykhovski, B. Gelmont and M. Shur: J. Appl. Phys. 74 (1993) 6734.
• 4) S. Shimizu, Y. Suzuki, T. Nishihara, S. Hayashi and M. Shinohara: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L703.
• 5) S. Shimizu, Y. Suzuki, T. Nishihara, S. Hayashi and M. Shinohara: <I>Proc. 2nd Int. Sympo. Blue Laser & Light Emitting Diodes, Chiba, 1998</I> (Ohmsha, Tokyo, 1999) p. 349.

Terms in the title (9)： 同軸 ,  衝撃衝突イオン散乱分光法 ,  プラズマ ,  支援 ,  分子ビーム ,  エピタキシャル ,  GaN ,  極性 ,  特性評価