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J-GLOBAL ID：200902142058279081   Reference number：01A0513456

High Speed Deposition of Amorphous Silicon Film by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (3rd Report). Electrical and Optical Properties of a-Si Films Fabricated at Very High Deposition Rate.

大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第3報) 高遠形成a-Si薄膜の電気・光学特性

Author (7)： MORI YUZO (大阪大 大学院工学研究科) ,  YOSHII KUMAYASU (大阪大 大学院工学研究科) ,  YASUTAKE KIYOSHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  KAKIUCHI HIROAKI (大阪大 大学院工学研究科) ,  KIYAMA SEIICHI (三洋電機) ,  TARUI HISAKI (三洋電機) ,  DOMOTO YOICHI (三洋電機)
Material： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
Volume： 67  Issue： 5  Page： 829-833  Publication year： May. 05, 2001 
JST Material Number： F0268A  ISSN： 0912-0289  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,...
Semi thesaurus term： high deposition rate

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JST classification (1)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Reference (10)：

• 鯉沼秀臣. 大気中への非平衡RF放電の放出と半導体関連プロセスへの応用. 第44回応用物理学関係連合会講演会講演予稿集. 1997, 1388
• 小駒益弘. 大気圧均質プラズマの実現とプラズマプロセスへの展開. 第44回応用物理学関係連合会講演会講演予稿集. 1997, 1389
• TEON, H. G. Deposition of ZnO Film by Using an Atmospheric pressure Cold Plasma Generator. Precision Science and Technology for Perfect Surfaces. 1999, 596
• MORI, Y. Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Films with High Growth Rate. 1996 The Japan-China Bilateral Symp. Advanced Manufacturing Eng. 1996, 84
• 森勇藏. 大気圧プラズマCVDによるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報)-回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作-. 精密工学会誌. 1999, 65,11, 1600

Terms in the title (7)： 大気圧プラズマ ,  CVD法 ,  アモルファスSi ,  高速成膜 ,  研究 ,  Si薄膜 ,  光学特性