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J-GLOBAL ID：200902144646176690   Reference number：02A0068088

Study on the lateral growth of silicon films from metal solutions with temperature gradient.

温度勾配をもつ金属溶液からのシリコン薄膜の横方向成長に関する研究

Author (6)： KITA K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  WEN C-J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OTOMO J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMADA K (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  KOMIYAMA H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 234  Issue： 1  Page： 153-158  Publication year： Jan. 2002 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Computer Simulation ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 温度勾配 ,  溶液 ,  シリコン薄膜 ,  横方向成長 ,  研究