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J-GLOBAL ID：200902165751965207   Reference number：98A0804739

Effect of Surface Roughness on Room-Temperature Wafer Bonding by Ar Beam Surface Activation.

Arビーム表面活性化による室温室温におけるウエハボンディングに及ぼす表面粗さの効果

Author (5)： TAKAGI H (Agency of Industrial Sci. and Technol., Ministry of International Trade and Ind., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T R (Agency of Industrial Sci. and Technol., Ministry of International Trade and Ind., Ibaraki, JPN) ,  CHUNG R (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HOSODA N (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 37  Issue： 7  Page： 4197-4203  Publication year： Jul. 1998 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *face bonding ,...
Semi thesaurus term： ウエハボンディング

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JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (55)：

• LASKY, J. B. Appl.Phys.Lett. 1986, 48, 78
• SHIMBO, M. J.Appl.Phys. 1986, 60, 2987
• FURUKAWA, K. Appl.Surf.Sci. 1989, 41/42, 627
• MASZARA, W. P. J.Electrochem.Soc. 1991, 138, 341
• BOWER, R. W. J.Electron.Mater. 1991, 20, 383

Terms in the title (6)： Ar ,  ビーム ,  表面活性化 ,  室温 ,  ウエハボンディング ,  表面粗さ