Art

J-GLOBAL ID：200902187920184388   Reference number：02A0920346

Effect of High-Pressure Oxygen Annealing on Bi₂SiO₅-Added Ferroelectric Thin Films.

Bi₂SiO₅を添加した強誘電体薄膜におよぼす高圧の酸素中での焼なましの影響

Author (4)： KIJIMA T (Res. and Dev. Future Electron Devices, JPN) ,  KAWASHIMA Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IDEMOTO Y (Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  ISHIWARA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 10B  Page： L1164-L1166  Publication year： Oct. 15, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： strontium compound ,...
Semi thesaurus term： *PZT ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Reference (11)：

• 1) T. Kijima and H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L716.
• 2) T. Kijima and H. Matsunaga: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 5171.
• 3) M. Yamaguchi, K. Hiraki, T. Nagatomo and Y. Masuda: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 5512.
• 4) B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee and W. Jo: Nature 401 (1999) 682.
• 5) T. Hirai, Y. Fujisaki, K. Nagashima, H. Koike and Y. Tarui: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5908.

Terms in the title (4)： 強誘電体薄膜 ,  高圧 ,  酸素 ,  焼なまし