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J-GLOBAL ID：200902203839758030   Reference number：09A0713395

Improved Dielectric Properties of Tetragonal ZrO₂ Gate Dielectric Fabricated by Ozone-Assisted Sputtering

オゾン支援スパッタリングで作製した正方晶ZrO₂ゲート誘電体の誘電性の向上

Author (4)： ZHOU Ying (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  INOSAKA Naoya (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  SASAKI Kimihiro (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KUMEDA Minoru (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 6,Issue 1  Page： 060208.1-060208.3  Publication year： Jun. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zirconium oxide ,  sputtering ,  tetragonal system ,  *oxide film ,  dielectric property ,  permittivity ,  epitaxy ,  capacitance-voltage characteristic ,  leakage current ,  CMOS structure ,  Ozone ,  *gate dielectric film ,  *conversion coating film ,  MOS structure
Semi thesaurus term： *gate dielectric

JST classification (1)： Dielectrics in general  (BM05010F)

Reference (20)：

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Terms in the title (8)： オゾン ,  支援 ,  スパッタリング ,  作製 ,  正方晶 ,  ZrO2 ,  ゲート誘電体 ,  誘電性