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J-GLOBAL ID：200902210194955487   Reference number：07A0066198

SPH-based Flow Simulation of Polishing Slurry Including Polished Debris in CMP

研磨屑粒子を含むCMPスラリーのSPH流動シミュレーション

Author (5)： TAKANO KAORU (日本ヒューレット・パッカード) ,  YAMADA KOICHIRO (舞鶴工高専) ,  TAKEZAWA NOBUHIRO (名古屋工大) ,  SUZUKI TATSUTOSHI (東邦エンジニアリング) ,  INAMURA TOYOSHIRO (名古屋工大)
Material： 精密工学会誌(CD-ROM)  (精密工学会誌論文集)
Volume： 73  Issue： 1  Page： 90-95  Publication year： Jan. 05, 2007 
JST Material Number： F0268B  ISSN： 1348-8716  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,...
Semi thesaurus term： *SPH method

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JST classification (2)： Grinding  (QC03000R) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (13)：

• LIANG, H. Lubricating behavior in chemical-mechanical polishing of copper. Scripta Materialia. 2002, 46, 343
• ZHOU, C. Fluid pressure and its effects on chemical mechanical polishing. Wear. 2002, 253, 430
• 津田直紀. 原液スラリーの測定例-スラリー用粒子カウンターKS-71-. クリーンテクノロジー. 2001, 11, 6, 15
• ROGERS, C. Analysis of Flow Between a Wafer and Pad During CMP Processes. Journal of Electronic Materials. 1998, 27, 1082
• MULLANY, B. The effect of Slurry Viscosity on Chemical-Mechanical Polishing of Silicon Wafers. Journal of Materials Processing Technology. 2003, 132, 28

Terms in the title (6)： 研磨屑 ,  CMP ,  スラリー ,  SPH ,  流動 ,  シミュレーション