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J-GLOBAL ID：200902243724001892   Reference number：05A0315942

Electron field emission from GaN nanorod films grown on Si substrates with native silicon oxides

天然酸化けい素をもつSi基板上に成長させたGaNナノロッド膜による電界電子放出

Author (6)： YAMASHITA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HASEGAWA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ISHIMARU M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HIROTSU Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 86  Issue： 8  Page： 082109.1-082109.3  Publication year： Feb. 21, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： しきい電場

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JST classification (2)： Thermoionic emission and field emission  (BM09020S) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (6)： 酸化けい素 ,  Si基板 ,  成長 ,  GaN ,  ナノロッド ,  電界電子放出