Art

J-GLOBAL ID：200902244755448352   Reference number：08A0557339

Thermal Stability of HfO₂ Films Fabricated by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

有機金属化学蒸着によって堆積させたHfO₂薄膜の熱安定性

Author (5)： NAGASATO Yoshitaka (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  IWAZAKI Yoshitaka (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HASUMI Masahiko (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  UENO Tomo (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KUROIWA Koichi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 1 Issue 1  Page： 31-34  Publication year： Jan. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,  *hafnium oxide ,  *dielectric thin film ,  thermal stability ,  Temperature ,  annealing (heat treatment) ,  thermal desorption spectrum ,  impurity concentration ,  Carbon Monoxide ,  leakage current ,  voltage ,  degradation (alteration) ,  annealing temperature
Semi thesaurus term： 残留不純物 ,  thermal budget ,  flat band voltage

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (8)：

• S. Chang, J. Lee, and H. Shin: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002)4432.
• S. Inumiya, T. Miura, K. Shirai, T. Matsuki, K. Torii, and Y. Nara: Jpn. J. Appl. Phys.45(2006)2898.
• Y. Tsuchiya, M. Endoh, M. Kurosawa. R. T. Tung, T. Hattori, and S. Oda: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)1957.
• Y. Nagasato and T. Ueno: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005)1665.
• N. Miyata, M. Ichikawa, T. Nabatame, T. Horikawa, and A. Toriumi: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003) L138.

Terms in the title (5)： 有機金属化学蒸着 ,  堆積 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  熱安定性