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J-GLOBAL ID：200902245468414800   Reference number：05A0145638

Effects of Gas Flow Rate on Particulate Contamination in a PECVD Reactor

PECVD成膜装置内での粒子汚染現象に対する操作流量の影響

Author (5)： HAYASHI YUTAKA (広島大 大学院工学研究科) ,  SHIMADA MANABU (広島大 大学院工学研究科) ,  SETYAWAN H (科学技術振興機構) ,  OKUYAMA KIKUO (広島大 大学院工学研究科) ,  KASHIHARA NOBUKI (科学技術振興機構)
Material： 粉体工学会誌  (Journal of the Society of Powder Technology, Japan)
Volume： 42  Issue： 2  Page： 105-109  Publication year： Feb. 10, 2005 
JST Material Number： S0129A  ISSN： 0386-6157  CODEN： FKKADA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma CVD ,...
Semi thesaurus term： *silica ,...

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JST classification (2)： Unit process  (XE01040I) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Substance index (1)： Tetraethoxysilane

Reference (11)：

• BOUCHOULE, A. Particle Generation and Behavior in a Silane-Argon Low-Pressure Discharge under Continuous or Pulsed Radio-Frequency Excitation. J. Appl. Phys. 1991, 70, 1991-2000
• SETYAWAN, H. Characterization of Fine Particle Trapping in Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Reactor. J. Appl. Phys. 2002, 92, 5525-5531
• CARLILE, R. N. Electrostatic Trapping of Contamination Particles in a Process Plasma Environment. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 1167-1169
• MATSUOKA, Y. Effects of Gas Flow on Particle Growth in Silane RF Discharges. Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, 4556-4560
• SETYAWAN, H. Particle Formation and Trapping Behavior in a TEOS/O_2 Plasma and Their Effects on Contamination of a Si Wafer. Aerosol Sci. Technol. 2004, 38, 2, 120-127

Terms in the title (5)： PECVD ,  成膜装置 ,  粒子汚染 ,  現象 ,  流量