Art

J-GLOBAL ID：200902247782521834   Reference number：09A0713475

Simulation of Fogging Electrons in Electron Beam Lithography

電子ビームリソグラフィーにおけるフォギング電子のシミュレーション

Author (2)： KOTERA Masatoshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  MAEKAWA Takeshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 6,Issue 2  Page： 06FB05.1-06FB05.4  Publication year： Jun. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electron beam lithography ,  electron ,  locus ,  simulation ,  simulation model ,  energy ,  backward scattering ,  exposure ,  distribution ,  strength ,  radius (length)

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (12)：

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Terms in the title (4)： 電子ビームリソグラフィー ,  フォギング ,  電子 ,  シミュレーション