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J-GLOBAL ID：200902256201752783   Reference number：08A0657819

Extreme Ultraviolet Lithography Simulation by Tracing Photoelectron Trajectories in Resist

レジスト中の光電子飛跡追跡による極端紫外線リソグラフィーのシミュレーション

Author (6)： KOTERA Masatoshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YAGURA Kei (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YAGURA Kei (NuFlare Technol., Inc., Shizuoka, JPN) ,  TANAKA Hiroyuki (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  KAWANO Daichi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  MAEKAWA Takeshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 6 Issue 2  Page： 4944-4949  Publication year： Jun. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoresist ,  *surface roughness ,  computer simulation ,  extreme ultraviolet ,  photoelectron ,  particle track ,  Schroedinger equation ,  polymethyl methacrylate ,  circuit pattern generation ,  length ,  contrast ,  *photolithography ,  photoionization ,  binding energy
Semi thesaurus term： line-edge roughness ,  critical dimension

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (16)：

• T. Kozawa, Y. Yoshida, M. Uesaka, and S. Tagawa: Jpn. J. Appl. Phys.31(1992)4301.
• K. Murata: J. Appl. Phys.57(1985)575.
• K. Murata, M. Kotera, K. Nagami, and S. Namba: IEEE Trans. Electron Devices 32(1985)1694.
• T. Kozawa, A. Saeki, and S. Tagawa: J. Vac. Sci. Technol. B 22(2004)3489.
• E. W. Scheckier, T. Ogawa, H. Yamanashi, T. Soga, and M. Ito: J. Vac. Sci. Technol. B 12(1994)2361.

Terms in the title (6)： レジスト ,  光電子 ,  飛跡 ,  追跡 ,  極端紫外線リソグラフィー ,  シミュレーション