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J-GLOBAL ID：200902284744352665   Reference number：03A0393138

Threshold Voltage of Si Single-Electron Transistor

Si単電子トランジスタのしきい値電圧

Author (4)： FUJIWARA A (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  HORIGUCHI S (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  NAGASE M (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT Corp., Atsugi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 4B  Page： 2429-2433  Publication year： Apr. 30, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (16)：

• 1) Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara and H. Inokawa: J. Phys.: Condens. Matter 14 (2002) R995.
• 2) Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase and M. Tabe: Electron. Lett. 31 (1995) 136.
• 3) Y. Takahashi, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, M. Nagase and K. Murase: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1213.
• 4) D. H. Kim, S. K. Sung, K. R. Kim, J. D. Lee, B. G. Park, B. H. Choi, S. W. Hwang and D. Ahn: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 627.
• 5) K. K. Likharev: Proc. IEEE 87 (1999) 606.

Terms in the title (3)： Si ,  単電子トランジスタ ,  しきい値電圧