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J-GLOBAL ID：200902291190953838   Reference number：07A0624397

Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AlN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AlN/GaN) Multibuffer-Layer Structure

(AlN/GaN)マルチバッファ層構造の制御歪によるAlGaN/AlN/SiCエピタキシャル層の貫通転位低減

Author (4)： MURAKAWA Kouichi (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  NIIKURA Eiichirou (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Fumio (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI Hideo (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 46  Issue： 6A  Page： 3301-3304  Publication year： Jun. 15, 2007 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...
Semi thesaurus term： AlGaN

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (10)：

• D. Cherns, S.-L. Sahonta, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, and I. Akasaki: Appl. Phys. Lett.85(2004)4923.
• M. Kurimoto, T. Nakada, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Takano, J. Yamamoto, T. Honda, and H. Kawanishi: Phys. Status Solidi A 176(1999)665.
• M. Kurimoto, T. Nakada, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Honda, and H. Kawanishi: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999) L551.
• Y. Ishihara, J. Yamamoto, M. Kurimoto, T. Takano, T. Honda, and H. Kawanishi: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999) L1296.
• M. Kurimoto, M. Shibata, J. Yamamoto, M. Tsubamoto, T. Honda, and H. Kawanishi: J. Cryst. Growth 189-190(1998)189.

Terms in the title (8)： AlN ,  GaN ,  マルチ ,  バッファ層 ,  AlGaN ,  SiC ,  エピタキシャル層 ,  貫通転位