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J-GLOBAL ID：200903039222273373

マイクロ波励起プラズマ装置

Inventor：
山内 健資

About 山内 健資

, 
青木 克明

About 青木 克明

, 
山華 雅司

About 山華 雅司


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058677
Publication number (International publication number)：1998255999
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 マイクロ波出力及び圧力共に広い範囲で安定したプラズマをプラズマ生成室内に均一に発生することが可能なマイクロ波励起プラズマ処理装置を提供するものである。【解決手段】 上部にプラズマ生成室、およびこのプラズマ生成室の下方に形成され、被処理部材が配置される処理室を有するチャンバと、プラズマ生成室内に処理ガスを供給するためのガス供給管と、チャンバの上壁部の開口に配置された誘電体窓と、誘電体窓を含むチャンバの上壁部に配置され、マイクロ波の電界方向に垂直な面(H面)が誘電体窓に対向し、マイクロ波の電界方向に平行な面(E面)がH面に対して垂直方向に伸び、かつマイクロ波導入側と反対側にH面およびE面に対して垂直に設けられたマイクロ波を反射する反射面を有する矩形状の導波管とを具備し、誘電体窓は、その厚みをマイクロ波の波長の半波長のn/2倍(nは整数)としたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、上部にプラズマ生成室、およびこのプラズマ生成室の下方に形成され、被処理部材が配置される処理室を有するチャンバと、前記プラズマ生成室内に処理ガスを供給するためのガス供給管と、前記チャンバの上壁部の開口に配置された誘電体窓と、前記誘電体窓を含む前記チャンバの上壁部に配置され、マイクロ波の電界方向に垂直な面(H面)が前記誘電体窓に対向し、マイクロ波の電界方向に平行な面(E面)が前記H面に対して垂直方向に伸び、かつマイクロ波導入側と反対側に前記H面およびE面に対して垂直に設けられたマイクロ波を反射する反射面を有する矩形状の導波管と、を具備し、前記誘電体窓は、その厚みをマイクロ波の波長の半波長のn/2倍(nは整数)としたことを特徴とするマイクロ波励起プラズマ処理装置。
IPC (2)：
H05H 1/46 ,  H01L 21/3065
FI (2)：
H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (14)
  • マイクロ波プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253807   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-216342   Applicant：三菱電機株式会社
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217287   Applicant：株式会社ダイヘン
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Cited by examiner (14)
  • マイクロ波プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253807   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-216342   Applicant：三菱電機株式会社
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217287   Applicant：株式会社ダイヘン
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