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J-GLOBAL ID：200903000708022719

スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜

Inventor：
矢野 公規

About 矢野 公規

, 
井上 一吉

About 井上 一吉

, 
田中 信夫

About 田中 信夫


Applicant, Patent owner：
出光興産株式会社

About 出光興産株式会社


Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005217432
Publication number (International publication number)：2007031786
Application date： Jul. 27, 2005
Publication date： Feb. 08, 2007
Summary：
【課題】 インジウムを削減しても低抵抗な透明導電膜が得られるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】 酸化亜鉛及び酸化スズ、又は、酸化亜鉛、酸化スズ及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、金属又は合金がスパッタリングターゲット全体に分散して存在するスパッタリングターゲット。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
酸化亜鉛及び酸化スズ、又は、酸化亜鉛、酸化スズ及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、金属又は合金がスパッタリングターゲット全体に分散して存在するスパッタリングターゲット。
IPC (3)：
C23C 14/34 ,  H01B 5/14 ,  C04B 35/453
FI (3)：
C23C14/34 A ,  H01B5/14 A ,  C04B35/00 P
F-Term (25)：
3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030AA61 ,  4G030BA01 ,  4G030BA02 ,  4G030BA14 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030CA07 ,  4G030GA11 ,  4G030GA22 ,  4G030GA24 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA21 ,  4K029BC03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (7)
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