スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005217432
Publication number (International publication number)：2007031786
Application date： Jul. 27, 2005
Publication date： Feb. 08, 2007
Summary：

【課題】インジウムを削減しても低抵抗な透明導電膜が得られるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】酸化亜鉛及び酸化スズ、又は、酸化亜鉛、酸化スズ及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、金属又は合金がスパッタリングターゲット全体に分散して存在するスパッタリングターゲット。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛及び酸化スズ、又は、酸化亜鉛、酸化スズ及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、金属又は合金がスパッタリングターゲット全体に分散して存在するスパッタリングターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 , H01B 5/14 , C04B 35/453

FI (3)：

C23C14/34 A , H01B5/14 A , C04B35/00 P

F-Term (25)：

3K007CB01 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4G030AA32 , 4G030AA34 , 4G030AA39 , 4G030AA61 , 4G030BA01 , 4G030BA02 , 4G030BA14 , 4G030BA15 , 4G030CA01 , 4G030CA04 , 4G030CA07 , 4G030GA11 , 4G030GA22 , 4G030GA24 , 4G030GA25 , 4G030GA27 , 4K029BA21 , 4K029BC03 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 5G307FB01 , 5G307FB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

透明導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-079645 Applicant：グンゼ株式会社
ITOスパッタリングターゲット、並びにITO焼結体及び透明導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-282585 Applicant：東ソー株式会社
スパッタリングターゲット及びそれを利用した導電膜の製造方法及びその製造方法で成膜した透明導電膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-180897 Applicant：出光興産株式会社

Cited by examiner (7)

スパッタリングターゲット及びそれを利用した導電膜の製造方法及びその製造方法で成膜した透明導電膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-180897 Applicant：出光興産株式会社
酸化インジウム-金属錫混合粉末及び同混合粉末を原料とするITOスパッタリングターゲット並びに同ターゲットの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-073685 Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ
ITO合金物品の製造法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-509856 Applicant：イノベイティブスパッタリングテクノロジー

Show all

Return to Previous Page