絶縁膜形成材料及び絶縁膜

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤幸久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003325518
Publication number (International publication number)：2004307803
Application date： Sep. 18, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】半導体部品などに有用な高耐熱かつ低誘電率のポリベンズアゾール絶縁膜を形成する材料を提供する。【解決手段】本発明の絶縁膜形成材料は、ケトン及びアルデヒド以外の溶媒に、下記式(1)【化1】(式中、Xは水素原子、カルボキシル基、又は炭化水素基を示し、Y1、Y2、Y3、Y4は、同一又は異なって、単結合又は2価の芳香族環式基を示す)で表されるアダマンタンポリカルボン酸と、下記式(2)【化2】(式中、環Zは単環または多環の芳香環を示し、R1、R2は環Zに結合している置換基であって、同一又は異なって、アミノ基、モノ置換アミノ基、水酸基、又はメルカプト基を示す)で表される芳香族ポリアミンとを溶解して得られる重合性組成物からなることを特徴とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ケトン及びアルデヒド以外の溶媒に、下記式(1)

IPC (1)：

C08G73/08

FI (1)：

C08G73/08

F-Term (26)：

4J043PA02 , 4J043QB32 , 4J043RA42 , 4J043RA52 , 4J043RA57 , 4J043SA06 , 4J043SA08 , 4J043SA47 , 4J043SA71 , 4J043SA83 , 4J043TA13 , 4J043TA66 , 4J043TB01 , 4J043UA082 , 4J043UA121 , 4J043UA131 , 4J043UA261 , 4J043UB401 , 4J043XA14 , 4J043XA15 , 4J043XA16 , 4J043XA18 , 4J043XA19 , 4J043ZA46 , 4J043ZB11 , 4J043ZB47

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

層間絶縁膜、その形成方法及び配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-070745 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭62-183881号公報

Cited by examiner (7)

層間絶縁膜、その形成方法及び配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-070745 Applicant：松下電器産業株式会社
高分子材料の合成方法、高分子薄膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-099904 Applicant：松下電器産業株式会社
層間絶縁膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-176440 Applicant：松下電器産業株式会社

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