半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (7)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004059145
Publication number (International publication number)：2005251922
Application date： Mar. 03, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：

【課題】窒化ガリウム系半導体を用いた半導体発光素子において、シリコン基板を用いても高い発光効率を有する発光ダイオードなどの半導体発光素子を得ることにある。【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる活性層6の表面がピラミッド状の凹凸構造となっており、この凹凸構造の凹部がp型窒化ガリウム系半導体からなる第1クラッド層7で埋められた構造を有する半導体発光素子とする。活性層6の下地層の一部をなすn型窒化ガリウム系半導体からなる第2クラッド層5の転位欠陥密度が109〜1011/cm2であることが好ましく、第2クラッド層5における転位欠陥の間隔が120〜170nmであることが好ましい。また、下地層の全厚さが3μm以下であることも好ましい。活性層6を有機金属気相成長法により形成し、その製膜圧力条件を大気圧また大気圧よりもやや低い圧力とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体からなる活性層の表面がピラミッド状の凹凸構造となっており、この凹凸構造の凹部がp型窒化ガリウム系半導体からなる第1クラッド層で埋められた構造を有する半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L33/00 , H01L21/205

FI (2)：

H01L33/00 C , H01L21/205

F-Term (30)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA01 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030LA14 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA14 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA99 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AE29 , 5F045CA09 , 5F045DA52 , 5F045DA61

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-177383 Applicant：パイオニア株式会社, ローム株式会社
半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084934 Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

Cited by examiner (3)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-015171 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-167986 Applicant：パイオニア株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-362652 Applicant：サンケン電気株式会社

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