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J-GLOBAL ID：200903001445205232

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 鈴木 正道 ,  松下 大介 ,  山口 豪
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 松山 允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004264828
Publication number (International publication number)：2006080409
Application date： Sep. 13, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】 高誘電率ゲート絶縁層とシリコン基板、ゲート電極界面において、低誘電率界面層が生成し、絶縁層全体の誘電率を低下させる。また、基板のシリコンが絶縁層表面まで拡散し、ゲート電極界面における低誘電率層生成を助長する。さらにシリサイド反応により、しきい値がシフトするという問題を解決する。【解決手段】 高誘電率ゲート絶縁層103の上または下の界面において、シリコンの拡散、シリコンとのシリサイド生成反応および低誘電率界面層の生成を起こすことのない、かつSiO2と比して十分高い誘電率をもつLaとAlを含む金属酸化物層である絶縁層1011,1012をバリア層として具備した構造を提供する。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、 前記シリコン基板上に形成され少なくともHf,Zr,Ti,Taから選択される少なくとも一種の元素の酸化物の絶縁層と、 前記絶縁層上に形成された電極と、 前記シリコン基板と前記絶縁層との界面及び前記絶縁層と前記電極との界面のうち少なくとも一方の界面に、La及びAlを含む金属酸化物層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (4)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/283 C ,  H01L29/58 G

F-Term (51)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104EE02 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 高誘電体薄膜を備えた半導体装置及びその製造方法並びに誘電体膜の成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-120485   Applicant：日本電気株式会社
• シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-322458   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 特開平3-074878
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-168703   Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
• シリコン酸化窒化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-186543   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-313093   Applicant：株式会社東芝