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J-GLOBAL ID:200903002332958435

イオンビームの走査電圧波形整形方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山本 惠二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993131388
Publication number (International publication number):1994318444
Application date: May. 07, 1993
Publication date: Nov. 15, 1994
Summary:
【要約】【目的】 イオンビームの走査方向のビーム電流密度分布も考慮することによって、ターゲットの面内での注入均一性をより一層向上させることができるようにしたイオンビームの走査電圧波形整形方法を提供する。【構成】 ターゲット10に対する注入位置に出し入れできる可動式のビームモニタ22であってイオンビームの走査方向のビーム電流密度分布を計測することのできるものを設け、これによってビーム走査方向のビーム電流密度分布を表す関数J(X)/J0 を求める。そして、この関数の逆数J0/J(X)と、ターゲット10に対する注入位置でのイオンビーム2の走査位置を表す関数Xt(V)の導関数dXt(V)/dVと、走査電圧を表す関数V(t)の導関数dV(t)/dtとの積が一定になるように、イオンビーム2の走査電圧波形を整形する。
Claim (excerpt):
走査電圧によって電気的に平行走査されるイオンビームのビーム電流をその走査方向における予め位置の分かった複数点でそれぞれ計測する第1および第2の多点ビームモニタを、ターゲットに対する注入位置のビーム進行方向上の上流側および下流側にそれぞれ配置しておき、イオンビームの走査を行いながら各多点ビームモニタでビーム電流のサンプリングを行うことにより、走査電圧と第1および第2の多点ビームモニタ上でのイオンビームの走査位置との関係を表す第1および第2の関数をそれぞれ求め、この第1および第2の関数に基づいて、走査電圧とターゲットに対する注入位置でのイオンビームの走査位置との関係を表す第3の関数を求め、そしてこの第3の関数の導関数と走査電圧を表す関数の導関数との積がイオンビームの走査位置に拘わらず一定になるように、イオンビームの走査電圧波形を整形する方法において、前記ターゲットに対する注入位置に出し入れできる可動式の第3のビームモニタであってイオンビームの走査方向のビーム電流密度分布を計測することのできるものを設け、これによってターゲットに対する注入位置でのビーム走査方向のビーム電流密度分布を表す第4の関数を求め、前記第3の関数の導関数と走査電圧の導関数との積がイオンビームの走査位置に拘わらず一定になるようにイオンビームの走査電圧波形を整形する代わりに、このビーム電流密度分布を表す第4の関数の逆数と前記第3の関数の導関数と走査電圧を表す関数の導関数との積またはそれと実質的に等価の関数がイオンビームの走査位置に拘わらず一定になるように、イオンビームの走査電圧波形を整形することを特徴とするイオンビームの走査電圧波形整形方法。
IPC (5):
H01J 37/147 ,  H01J 37/04 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265 ,  C23C 14/48
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
  • 特開平4-301346
  • イオン注入装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-248806   Applicant:日新電機株式会社
  • イオン注入均一性予測方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-248812   Applicant:日新電機株式会社
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