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J-GLOBAL ID：200903002664020759

パターン形成方法、近接場光発生素子および露光装置

Inventor：
上田 稔

About 上田 稔


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004073193
Publication number (International publication number)：2005260178
Application date： Mar. 15, 2004
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：
【課題】 近接場光を利用するパターン形成方法において、露光量がパターン幅の大きさに関係なく均一化され、一回の露光で2種以上の異なるパターン幅を有するパターンを形成することができ、微細なパターンを精度良くかつ効率良く形成できる方法を提供する。【解決手段】 基板2に形成されたレジスト層1表面に、所望のパターンで金属粒子3を配置し、レジスト層1の吸収波長よりも長い波長を有する処理光4を照射することによって、処理光4によるレジスト層1の感光を防止しながら、金属粒子3の近傍領域5に発生する近接場光によってレジスト層1を感光し、レジスト層1に所望のパターンを形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
光の照射により近接場光を発生させてパターンを形成する方法において、 基板にレジスト層を形成する工程と、 レジスト層の近傍に処理光の波長以下の直径を有する金属粒子を配置する工程と、 処理光を、少なくとも金属粒子に照射して金属粒子の周囲に近接場光を発生させ、金属粒子近傍のレジスト層を露光する工程と、 近接場光により露光されたレジスト層を現像液により現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3)：
H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38
FI (4)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/20 501 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 564Z
F-Term (16)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA10 ,  2H096EA18 ,  2H096EA30 ,  2H096LA30 ,  2H097CA11 ,  2H097EA01 ,  2H097LA10 ,  5F046AA17 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10 ,  5F046CA10 ,  5F046JA22 ,  5F046JA27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (7)
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