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J-GLOBAL ID：200903036806132691

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子および窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法

Inventor： 奥 保成 ,  武石 英見 ,  亀井 英徳 ,  品川 修一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997263109
Publication number (International publication number)：1999040845
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を用いた発光素子において、バッファ層および窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の平坦性を向上させて優れた発光特性を得ることを目的とする。【解決手段】 基板1と、この基板1上に成膜されたAl1-xInxN(0<x<1)から成るバッファ層2と、このバッファ層2上に成膜されたn型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜3と、さらにn型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜3上に成膜されたp型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜5とからなる構成の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とする。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に成膜されたAl1-xInxN(0<x<1)から成るバッファ層と、前記バッファ層上に成膜された窒化ガリウム系化合物半導体薄膜とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-093429   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-110887   Applicant：三洋電機株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-257070   Applicant：住友電気工業株式会社
• 結晶成長方法および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-211951   Applicant：松下電器産業株式会社