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J-GLOBAL ID:200903002842021918
蒸着システムおよび蒸着方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2007523574
Publication number (International publication number):2008504447
Application date: Jun. 27, 2005
Publication date: Feb. 14, 2008
Summary:
蒸着システムおよびそれに関連する方法が、提供される。これらのシステムは、他の利点の中でもとりわけ、質の高い堆積を促進し得;製造、改変および使用を簡単にし得;そして、システムの設置面積を減少させ得る特徴を備えるように設計され得る。1つの局面において、本発明は、原子層堆積システムを提供する。このシステムは、基材を囲むように設計された反応チャンバを備える。この反応チャンバは、上面、底面およびこの上面と底面との間の側壁を有する。
Claim (excerpt):
原子層堆積システムであって、該システムは、以下:
基材を囲むように設計された反応チャンバであって、該反応チャンバは、上面、底面および該上面と該底面との間の側壁を有する、反応チャンバ;
該底面に形成される前駆物質ポートに接続される第1の前駆物質サプライ;および
該底面に形成される前駆物質ポートに接続される第2の前駆物質サプライ、
を備え、ここで出口ポートが、該底面に形成される、原子層堆積システム。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (27):
4K030BA01
, 4K030BA22
, 4K030BA38
, 4K030BA46
, 4K030BB12
, 4K030CA02
, 4K030CA06
, 4K030CA07
, 4K030EA01
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030FA10
, 4K030KA23
, 5F045AA06
, 5F045AA15
, 5F045AB31
, 5F045AC08
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045DP02
, 5F045EC07
, 5F045EE19
, 5F045EF20
, 5F045EG02
, 5F045EG06
, 5F045EG08
, 5F045EK06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
化学気相堆積装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-001537
Applicant:三菱電機株式会社
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低圧における高速シリコン堆積法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-570390
Applicant:トーレックス・イクイップメント・コーポレーション
-
処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-291578
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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