ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000303875
Publication number (International publication number)：2001188348
Application date： Oct. 03, 2000
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも解像限界あたりにおいて、同一露光量の評価で、疎パターンが消失してしまう寸法と密パターンの限界解像寸法の二者がより近い近似値を示し、更にラインパターンの表面ラフネスが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】特定の構造の繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物および上記成分を溶解する有機溶剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

少なくとも下記(A)〜(C)を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位と、下記一般式(II)で表される繰り返し単位と、下記一般式(III)で表される繰り返し単位とを含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大するバインダー樹脂(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物(C)上記(A)、(B)を溶解する有機溶剤一般式(I)【化1】式(I)中、R1〜R3は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0または1を表す。一般式(II)【化2】式(II)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基又は塩素原子を表す。Lは単結合または2価の連結基を表す。Qは炭素数5以上20以下の3級アルキル基、またはアルコキシメチル基、アルコキシエチル基もしくはイソボロニル基を表す。一般式(III)【化3】式(III)中、Zは酸素原子または-N(R3)-を表す。R3は水素原子、水酸基、直鎖もしく分岐を有するアルキル基または-O-SO2-R4を表す。R4はアルキル基またはトリハロメチル基を表す。

IPC (11)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , C08F222/00 , C08F230/08 , C08K 5/00 , C08L 33/04 , C08L 35/00 , C08L 43/04 , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (11)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , C08F222/00 , C08F230/08 , C08K 5/00 , C08L 33/04 , C08L 35/00 , C08L 43/04 , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

F-Term (51)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF11 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CB10 , 2H025CB43 , 2H025CC03 , 2H025FA17 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BH011 , 4J002BH021 , 4J002BQ001 , 4J002EB106 , 4J002EU186 , 4J002EU226 , 4J002EV226 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J100AK32R , 4J100AL03Q , 4J100AL04Q , 4J100AL08Q , 4J100AM43R , 4J100AM45R , 4J100AM47R , 4J100AP16P , 4J100BA03R , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA11R , 4J100BA58R , 4J100BA72P , 4J100BA78P , 4J100BA80P , 4J100BA85P , 4J100BB07R , 4J100BC04Q , 4J100BC07Q , 4J100BC07R , 4J100CA05 , 4J100FA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

化学的に補強されたレジスト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-126289 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-130131 Applicant：富士通株式会社
高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-029321 Applicant：信越化学工業株式会社

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