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J-GLOBAL ID：200903002992383117

発光素子用半導体及びその製造方法

Inventor：
植草 新一郎

About 植草 新一郎

, 
粟原 和彦

About 粟原 和彦


Applicant, Patent owner：
植草 新一郎

About 植草 新一郎


Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997092980
Publication number (International publication number)：1998270807
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】 バンドギャップの広い半導体に希土類元素を添加した場合に十分な発光強度を達成し、これにより室温での使用に好適な発光素子を実現する。【解決手段】 本発明の発光素子用半導体は、希土類元素を発光中心として含む炭化ケイ素からなるものであり、次の工程?@〜?Cにより製造する。?@.SiC基板を超音波により洗浄する。?A.SiC基板に対してイオン注入により希土類元素をドープする。?B.SiC基板を洗浄及びエッチングする。?C.SiC基板に対してアニール処理を施す。
Claim (excerpt)：
希土類元素を発光中心として含む炭化ケイ素からなる発光素子用半導体。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
  • 発光材料及び発光素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-201631   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-098824   Applicant：シャープ株式会社
  • 特開昭63-184324
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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