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J-GLOBAL ID:200903003244604409

鉛(II)キレート錯体及びその合成方法並びに該錯体を含む溶液原料、該錯体又は該溶液原料を用いて作製された高誘電体薄膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須田 正義
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002337602
Publication number (International publication number):2003226664
Application date: Nov. 21, 2002
Publication date: Aug. 12, 2003
Summary:
【要約】【課題】 気化温度を高めるとともに、熱安定性を有する鉛(II)キレート錯体を得る。高い成膜速度が得られる鉛(II)キレート錯体及びその合成方法並びに該錯体を含む溶液原料を提供する。均質で高機能な高誘電体薄膜を提供する。【解決手段】 次の式(1)に示される鉛(II)キレート錯体である。【化6】但し、dppdは次の式(2)で表される1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオン残基である。【化7】
Claim (excerpt):
次の式(1)に示される鉛(II)キレート錯体。【化1】但し、dppdは次の式(2)で表される1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオン残基である。【化2】
IPC (4):
C07C 49/92 ,  C07C 45/77 ,  C23C 16/18 ,  C07F 7/24
FI (4):
C07C 49/92 ,  C07C 45/77 ,  C23C 16/18 ,  C07F 7/24
F-Term (30):
4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006AB81 ,  4H006AC90 ,  4H006AD15 ,  4H006BB11 ,  4H006BB25 ,  4H006BC10 ,  4H006BC19 ,  4H006BE90 ,  4H049VN04 ,  4H049VQ24 ,  4H049VR44 ,  4H049VS00 ,  4H049VS31 ,  4H049VU24 ,  4H049VV02 ,  4H049VV16 ,  4H049VW02 ,  4H049VW06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA00 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • Bulletin de l’Academie Polonaise des Sciences. Serie des Sciences Mathematiques, Astronomiques et P, 1963, Vol.16, No.1, p.73-79
  • Analytica Chimica Acta, 1963, Vol.28, p.227-235
  • Bulletin de l’Academie Polonaise des Sciences. Serie des Sciences Mathematiques, Astronomiques et P, 1963, Vol.16, No.1, p.73-79
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