プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：志賀正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997152671
Publication number (International publication number)：1999003798
Application date： Jun. 10, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来のプラズマ処理装置においては、比較的厚さの厚い絶縁板を使用していることにより、比較的大きな電力を必要とするという問題があった。【解決手段】大気圧下においてプラズマ放電を行うためのプラズマ処理装置10であって、一対の電極20、30を具備し、これら電極20、30のうちの一方の電極20の表面が、絶縁体層22に改質されている。

Claim (excerpt)：

大気圧下においてプラズマ放電を行うためのプラズマ処理装置であって、一対の電極を具備し、これら電極のうちの少なくとも一方の表面が、絶縁体層に改質されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , C23G 5/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (6)：

H05H 1/46 L , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , C23G 5/00 , H01L 21/205 , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

放電反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-120869 Applicant：株式会社荏原製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-229536 Applicant：セイコーエプソン株式会社
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-045759 Applicant：株式会社イ-シ-技研

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