光半導体装置及び赤外線検出装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：土井健二 , 林恒徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008072021
Publication number (International publication number)：2009231364
Application date： Mar. 19, 2008
Publication date： Oct. 08, 2009
Summary：

【課題】製造が容易で且つ再現性の高い構造を備えた量子ドット赤外線光検出器を提供することである。【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された、導電性の半導体からなる第1の電極層と、前記第1の電極層の上に形成された前記第1の光電変換層と、前記第1の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第2の電極層と、前記第2の電極層の上に形成された、第2の光電変換層と、前記第2の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第3の電極層からなる赤外線を電気信号に変換する光半導体装置において、前記第1の光電変換層が、前記半導体基板の主面に投影した形状が、第1の方向に長軸を有する第1の量子ドットから成り、前記第2の光電変換層が、前記主面に投影した形状が、前記第1の方向にに交差する第の2の方向に長軸を有する第2の量子ドットから成ること。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された、導電性の半導体からなる第1の電極層と、前記第1の電極層の上に形成された前記第1の光電変換層と、前記第1の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第2の電極層と、前記第2の電極層の上に形成された、第2の光電変換層と、前記第2の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第3の電極層からなる、赤外線を電気信号に変換する光半導体装置において、前記第1の光電変換層が、前記半導体基板の主面に投影した形状が、第1の方向に長軸を有する第1の量子ドットから成り、前記第2の光電変換層が、前記主面に投影した形状が、前記第1の方向に交差する第2の方向に長軸を有する第2の量子ドットから成ることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3)：

H01L 31/10 , G01J 3/36 , G01J 1/02

FI (5)：

H01L31/10 D , G01J3/36 , G01J1/02 B , G01J1/02 Q , G01J1/02 C

F-Term (32)：

2G020AA03 , 2G020CC63 , 2G020CD15 , 2G020CD24 , 2G065AA04 , 2G065AB02 , 2G065AB10 , 2G065BA02 , 2G065BA14 , 2G065BA34 , 2G065BB25 , 2G065BB32 , 2G065BC33 , 2G065CA11 , 2G065DA01 , 2G065DA20 , 5F049MA03 , 5F049MB07 , 5F049NA18 , 5F049NA19 , 5F049NB03 , 5F049PA03 , 5F049QA07 , 5F049RA02 , 5F049SE01 , 5F049SS03 , 5F049SS09 , 5F049SS10 , 5F049TA11 , 5F049UA01 , 5F049UA12 , 5F049WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

発光ダイオードアレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-128816 Applicant：日立電線株式会社
赤外線センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-051221 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

光検出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-217504 Applicant：富士通株式会社
疑似位相整合型波長変換素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-351050 Applicant：国立大学法人東京大学
半導体量子ドット装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-007234 Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

MBE,MOVPE成長法によるInAs/GaAs量子ドットの形状異方性と偏光特性

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