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J-GLOBAL ID：200903004258196890

酸素イオン伝導体および酸素分離膜

Inventor：
高橋 洋祐

About 高橋 洋祐

, 
長屋 重夫

About 長屋 重夫

, 
瀬尾 拓史

About 瀬尾 拓史


Applicant, Patent owner：
株式会社ノリタケカンパニーリミテド

About 株式会社ノリタケカンパニーリミテド

, 
中部電力株式会社

About 中部電力株式会社


Agent (1)： 池田 治幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005237958
Publication number (International publication number)：2007051035
Application date： Aug. 18, 2005
Publication date： Mar. 01, 2007
Summary：
【課題】 酸素イオン伝導性が高く且つ還元耐久性の優れた酸化物イオン伝導体、および高効率で耐久性に優れた酸素分離膜エレメントを提供する。【解決手段】 一般式(Ln1-xAex)(TiyAlzM1-y-z)O3で表されるペロブスカイト化合物はBサイトにTiおよびAlを共に含むことから、高い酸素透過性能と低い還元膨張率とを有するので、酸素イオン伝導性が高く且つ還元耐久性の優れた酸素分離膜が得られる。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
一般式(Ln1-xAex)(TiyAlzM1-y-z)O3(但し、Lnはランタノイドのうちの1種または2種以上の組合せ、AeはBa、Sr、Caのうちから選ばれる1種または2種以上の組合せ、MはFe,Co,Ni,Cu,Cr,Mn,Zr,Rh,Pd,Pt,およびAuのうちから選ばれる1種または2種以上の組合せ、0≦x≦1、0<y<0.4、0<z<0.4、y+3z>0.5)で表されるペロブスカイト化合物から成ることを特徴とする酸素イオン伝導体。
IPC (4)：
C04B 35/50 ,  C01G 23/00 ,  B01D 71/02 ,  C01G 49/00
FI (5)：
C04B35/50 ,  C01G23/00 C ,  B01D71/02 500 ,  C01G49/00 C ,  C01G49/00 D
F-Term (20)：
4D006GA41 ,  4D006MA02 ,  4D006MA03 ,  4D006MA06 ,  4D006MA10 ,  4D006MB04 ,  4D006MC03X ,  4D006NA39 ,  4D006PB17 ,  4D006PB62 ,  4D006PC71 ,  4G002AA08 ,  4G002AA09 ,  4G002AB02 ,  4G002AE05 ,  4G047CA07 ,  4G047CB05 ,  4G047CC03 ,  4G047CD03 ,  4G047CD08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (13)
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Cited by examiner (9)
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