半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999320725
Publication number (International publication number)：2001144266
Application date： Nov. 11, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】キャパシタ上部電極と上層配線に接続するプラグとの間の導通信頼性を高く維持し、接続不良が生じないようにする。また、キャパシタ上部電極の抵抗を低減する。【解決手段】ルテニウムからなる下部電極45とBSTからなるキャパシタ絶縁膜50と上部電極49とからなるDRAMのキャパシタにおいて、上部電極49を、キャパシタ絶縁膜50側に形成されたルテニウム膜47と、その上層に形成されたタングステン膜48との積層構成とする。

Claim (excerpt)：

メモリセル毎に設けられた情報蓄積容量素子用の第1電極と、前記第1電極に対向して形成された第2電極と、前記第1および第2電極間に形成された容量絶縁膜と、前記第2電極上に形成された配線と、前記配線と第2電極とを電気的に接続する接続部材とを含む半導体集積回路装置であって、前記接続部材には、酸素と反応して不導体または高抵抗体である金属酸化物を生成する金属が含まれ、前記第2電極は、前記容量絶縁膜側に形成された第1層と、前記配線側に形成された第2層とを含み、前記第2層には、前記金属酸化物を形成しない程度、または、前記金属酸化物が前記第2層と前記接続部材との間の電気的導通を阻害しない程度に酸素が含まれることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/88 R , H01L 21/90 A , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 681 F

F-Term (96)：

5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH34 , 5F033JJ04 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ26 , 5F033JJ31 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033JJ36 , 5F033KK01 , 5F033KK19 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ21 , 5F033QQ24 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ39 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033TT07 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX21 , 5F083AD10 , 5F083AD24 , 5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083GA02 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083JA56 , 5F083KA20 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR10 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR46 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR56

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-263408 Applicant：株式会社日立製作所
半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-023473 Applicant：株式会社日立製作所
研磨方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-149156 Applicant：株式会社東芝

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