窒化物半導体発光ダイオード

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：油井透
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006140161
Publication number (International publication number)：2007311619
Application date： May. 19, 2006
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：

【課題】低動作電圧、高出力、長寿命化を図った窒化物半導体発光ダイオードを提供する。【解決手段】基板(1)上に少なくとも、n型下地層(4)と、歪緩和層(11)と、InGaNバッファ層(12)と、InGaN量子井戸を含む発光のピーク波長が440nm以上である発光層(6)と、p型層(6,7)とが積層されている窒化物半導体発光ダイオーである。n型下地層(4)と発光層(6)との間に、歪緩和層(11)及びInGaNバッファ層(12)を設けることにより、発光層(6)の歪みが減少しピエゾ電界が低減する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも、n型下地層と、歪緩和層と、InGaNバッファ層と、InGaN量子井戸を含む発光のピーク波長が440nm以上である発光層と、p型層とが積層されていることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (5)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-204471 Applicant：富士通株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-317848 Applicant：日亜化学工業株式会社
III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-313841 Applicant：富士電機株式会社

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Cited by examiner (6)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-317848 Applicant：日亜化学工業株式会社
III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-313841 Applicant：富士電機株式会社
III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-062649 Applicant：富士電機株式会社

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