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J-GLOBAL ID：200903007566849607

化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法

Inventor：
金野 智久

About 金野 智久

, 
服部 雅幸

About 服部 雅幸

, 
川橋 信夫

About 川橋 信夫


Applicant, Patent owner：
JSR株式会社

About JSR株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004116307
Publication number (International publication number)：2005302973
Application date： Apr. 12, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：
【課題】バリアメタル層及びキャップ層を効率よく研磨除去することができるとともに、下層に存在する誘電率の低い絶縁膜材料に対するダメージが低減された化学機械研磨工程を行うことができる化学機械研磨用水系分散体及び当該化学機械研磨用水系分散体を使用した化学機械研磨方法を提供すること。【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、(A1)比表面積が10m2/g以上160m2/g未満であり、平均二次粒子径が170〜250nmである第一のヒュームド法シリカ、及び(A2)比表面積が160m2/g以上であり、平均2次粒子径が50nm以上170nm未満である第二のヒュームド法シリカが配合されていることを特徴とする。 化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いて、金属層、バリアメタル層、及び特定の絶縁層を有する被研磨物を化学機械研磨することを特徴とする。【選択図】 なし。
Claim (excerpt)：
(A1)比表面積が10m2/g以上160m2/g未満であり、平均二次粒子径が170〜250nmである第一のヒュームド法シリカ 及び(A2)比表面積が160m2/g以上であり、平均2次粒子径が50nm以上170nm未満である第二のヒュームド法シリカが配合されていることを特徴とする、化学機械研磨用水系分散体。
IPC (3)：
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14
FI (4)：
H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
F-Term (7)：
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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