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J-GLOBAL ID：200903007652597874

半導体装置の製造方法、基板処理装置および基板処理システム

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Inventor： 井下田 真信 ,  青山 真太郎 ,  神力 博
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002017038
Publication number (International publication number)：2003031565
Application date： Jan. 25, 2002
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 被処理基板の前面にわたり一様なラジカル基板処理を行うことが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】 基板処理装置を、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器の第1の端部に設けられた処理ガス導入部と、前記処理容器の、前記保持台を隔てて前記第1の端部に対向する第2の端部に形成された排気口と、前記処理容器中、前記保持台よりも前記第1の端部に寄った側に設けられたラジカル発生源と、前記保持台を回転させる回転機構とにより構成する。

Claim (excerpt)：

被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器の第1の端部に設けられた処理ガス導入部と、前記処理容器の、前記保持台を隔てて前記第1の端部に対向する第2の端部に形成された排気口と、前記処理容器中、前記保持台よりも前記第1の端部に寄った側に設けられたラジカル発生源と、前記保持台を回転させる回転機構とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (6)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 C

F-Term (60)：

4K030BA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030FA08 ,  4K030GA05 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030KA37 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA16 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC00 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045CA05 ,  5F045CB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EC03 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EK05 ,  5F045EK12 ,  5F045EK19 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F045GB11 ,  5F045HA24 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BF07 ,  5F058BF40 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF72 ,  5F058BF78 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 成膜方法及び成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-317865   Applicant：ソニー株式会社
• III-V族化合物半導体気相エピタキシャル成長方法及び成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-195693   Applicant：日立電線株式会社
• 特開平4-274317
  
• 半導体の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-211532   Applicant：富士通株式会社
• シリコン酸化窒化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-186543   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-186825