半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西藤征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998117431
Publication number (International publication number)：1999017075
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れ高信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】複数の接続用電極部2が設けられた配線回路基板1面に、上記接続用電極部2に対応する接続用電極部3が設けられた半導体素子5が、上記配線回路基板1面に設けられた接続用電極部2と半導体素子5面に設けられた接続用電極部3とが当接状態で搭載され、上記配線回路基板1と半導体素子5との間の空隙が封止樹脂層4によって封止された半導体装置である。しかも、上記封止樹脂層が、下記の硬化物特性(X)を備えている。(X)25°Cにおける引張弾性率が0.5〜500MPaである。

Claim (excerpt)：

複数の接続用電極部が設けられた配線回路基板面に、上記接続用電極部に対応する接続用電極部が設けられた半導体素子が、上記配線回路基板面に設けられた接続用電極部と半導体素子面に設けられた接続用電極部とが当接状態で搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、下記の硬化物特性(X)を備えていることを特徴とする半導体装置。(X)25°Cにおける引張弾性率が0.5〜500MPaである。

IPC (7)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , C08L 33/20 , C08L 63/00 , C08L 65/00 , H01L 21/60 311 , H01L 23/28

FI (6)：

H01L 23/30 R , C08L 33/20 , C08L 63/00 A , C08L 65/00 , H01L 21/60 311 S , H01L 23/28 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-047566 Applicant：日東電工株式会社
半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-074246 Applicant：日東電工株式会社
半導体装置およびその実装構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-261207 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page