研磨用砥粒、研磨剤、研磨液、研磨液の製造方法、研磨方法及び半導体素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平田忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004080756
Publication number (International publication number)：2005264057
Application date： Mar. 19, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】化合物半導体ウェハ又はシリコンウェハ等の研磨工程において、研磨速度、平坦度、ウェハ形状の経時的安定性向上を図る。【解決手段】媒質中において、0.005μm以上0.1μm以下の1次粒子が凝集した真円度0.5以上0.75以下の研磨用砥粒で、凝集粒子の分散時における平均粒径が1μm以上30μm以下の研磨用砥粒を含む研磨液を用いる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

粒子の周囲長に対して、該粒子と同等の面積を有する円における円周の割合として定義される粒子の真円度が、0.50以上0.75以下である粒子を主成分とすることを特徴とする研磨用砥粒。

IPC (3)：

C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304

FI (6)：

C09K3/14 550C , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z , B24B37/00 H , H01L21/304 622B , H01L21/304 622D

F-Term (7)：

3C058AA07 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA13 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体ウェーハーの研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-012869 Applicant：日産化学工業株式会社
研磨用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-188562 Applicant：日産化学工業株式会社
研磨用砥粒及び研磨用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-130523 Applicant：株式会社フジミインコーポレーテッド

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Cited by examiner (4)

研磨用組成物、砥粒、それらの製造方法、研磨方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-093537 Applicant：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
砥粒及びその製造方法、研磨具及びその製造方法、研磨用砥石及びその製造方法、並びに研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-161393 Applicant：株式会社リコー
半導体ウェーハーの研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-012869 Applicant：日産化学工業株式会社

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