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J-GLOBAL ID:200903008852107770

非晶質炭素膜、非晶質炭素膜の形成方法、非晶質炭素膜を備えた導電性部材および燃料電池用セパレータ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007135777
Publication number (International publication number):2008004540
Application date: May. 22, 2007
Publication date: Jan. 10, 2008
Summary:
【課題】導電性を有する非晶質炭素膜、また、そのような非晶質炭素膜の形成方法、および非晶質炭素膜を備えた導電性部材を提供する。【解決手段】炭素と水素とからなる非晶質炭素膜であって、水素を30at%以下(0at%を除く)含み、かつ、炭素の全体量を100at%としたときに、sp2混成軌道をもつ炭素量が70at%以上100at%未満である。水素やCsp3などの含有量を制御してCsp2からなる構造を増加させることで、非晶質炭素膜に導電性が付与される。この非晶質炭素膜は、sp2混成軌道をもつ炭素を含む炭素環式化合物ガスおよびsp2混成軌道をもつ炭素とともに珪素および/または窒素を含む複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上を含む反応ガスを用いたプラズマCVD法により形成でき、基材100の表面に非晶質炭素膜を形成することで、導電性部材が得られる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
炭素と水素とからなる非晶質炭素膜であって、水素を30at%以下(0at%を除く)含み、かつ、該炭素の全体量を100at%としたときに、sp2混成軌道をもつ炭素量が70at%以上100at%未満であることを特徴とする非晶質炭素膜。
IPC (3):
H01M 8/02 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/503
FI (4):
H01M8/02 B ,  H01M8/02 Y ,  C23C16/26 ,  C23C16/503
F-Term (21):
4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030CA02 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB04 ,  5H026CX04 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE17 ,  5H026HH00 ,  5H026HH03 ,  5H026HH05 ,  5H026HH06 ,  5H026HH08
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Cited by applicant (5)
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