半導体電子デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006193241
Publication number (International publication number)：2007088426
Application date： Jul. 13, 2006
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：

【課題】異種基板上のバッファ層の結晶性を向上させた窒化物系化合物半導体を有する半導体電子デバイスを提供する。【解決手段】窒化物系化合物半導体を有する半導体電子デバイスにおいて、基板10上に窒化物系化合物半導体からなるバッファ層20及び半導体動作層30を順次積層してなり、前記バッファ層20は、第1の層22と第2の層23が積層された複合層を1層以上有し、第1の層22を構成する結晶材料の格子定数と第2の層23を構成する結晶材料の格子定数が0.2%以上の差を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にバッファ層と、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層とを順次積層した半導体電子デバイスにおいて、前記バッファ層は、第1の層と第2の層が積層された複合層を1層以上有し、前記第1の層と前記第2の層との各格子定数の差は、0.2%以上であることを特徴とする半導体電子デバイス。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (16)：

5F102FA00 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248735 Applicant：サンケン電気株式会社
3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025852 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-322859 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248735 Applicant：サンケン電気株式会社
窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-055304 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
窒化物系半導体を含む積層体およびそれを用いた電子素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-086133 Applicant：鈴木敏正, 旭化成株式会社

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