炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高橋祥泰 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001190218
Publication number (International publication number)：2003002795
Application date： Jun. 22, 2001
Publication date： Jan. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】高品質の炭化珪素単結晶を長時間連続して製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。【解決手段】反応容器10内に炭化珪素単結晶よりなる種結晶6を配置し,反応容器10内にSiを含有する珪素含有ガスとCを含有する炭素含有ガスとを含む混合ガス8を導入することにより,種結晶6の初期表面60上に炭化珪素単結晶よりなる成長結晶7を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法である。混合ガス8を反応容器10内に導入する際に,複数のガス流路31,32を有するガス導入管2を用いて,各ガス流路31,32ごとに独立に混合ガス8のガスモル比とガス流量の少なくとも一方を制御する。

Claim (excerpt)：

反応容器内に炭化珪素単結晶よりなる種結晶を配置し,上記反応容器内にSiを含有する珪素含有ガスとCを含有する炭素含有ガスとを含む混合ガスを導入することにより,上記種結晶の初期表面上に炭化珪素単結晶よりなる成長結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において,上記混合ガスを上記反応容器内に導入する際に,複数のガス流路を有するガス導入管を用いて,各ガス流路ごとに独立に上記混合ガスのガスモル比とガス流量の少なくとも一方を制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

F-Term (9)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077DB04 , 4G077EG22 , 4G077HA12 , 4G077TB02 , 4G077TG06 , 4G077TH13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

化学蒸着により少なくとも1つの基板の表面に膜を生成する方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-159185 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
N型半導体薄膜の製造方法及び薄膜サーミスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-240609 Applicant：静岡県, 株式会社クラベ
窒化物エピタキシ反応炉
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-088774 Applicant：日本電信電話株式会社

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Cited by examiner (10)

化学蒸着により少なくとも1つの基板の表面に膜を生成する方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-159185 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
N型半導体薄膜の製造方法及び薄膜サーミスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-240609 Applicant：静岡県, 株式会社クラベ
窒化物エピタキシ反応炉
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-088774 Applicant：日本電信電話株式会社

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