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J-GLOBAL ID：200903009251098754

III-V族ウェーハの加熱装置およびプロセス、ならびにアニールIII-V族半導体単結晶ウェーハ

Inventor：
ユーリッシュ・マンフレード

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Applicant, Patent owner：
フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

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Agent (1)： 特許業務法人コスモス特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006182318
Publication number (International publication number)：2007081372
Application date： Jun. 30, 2006
Publication date： Mar. 29, 2007
Summary：
【解決手段】温度を上昇させてIII-V族半導体材料から成るウェーハを熱処理(アニーリング)する装置に関し、少なくとも一つのウェーハサポートユニット10を備え、そのユニットは、ウェーハをそのサポート上に載置したとき、ウェーハの表面上に、離間することなくまたは最大2mm離間してカバーが設けられるような寸法で形成し、装置内に載置されたウェーハの正面がカバーの載置により大きさが決まる空間に面するよう配置する。【効果】本装置においてアニールされたSI GaAsウェーハは、少なくとも25%増の破壊強度特性(ワイブル分布)と、改善されたマクロスコピックおよびメゾスコピックな半径方向の均質性と、機械化学的に研磨された表面の改善された品質を有する。破壊強度特性は1900MPaより高くできる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくともアニールされる表面にIII-V族半導体材料を含むウェーハを、温度を上昇させて熱処理する装置であって、 ウェーハをサポート上に載置したとき、ウェーハの前記表面上に、離間することなくまたは最大で2mm離間してカバーが設けられるような寸法で形成されたウェーハサポートユニットを少なくとも1個有していることを特徴とする熱処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/324 ,  H01L 21/683 ,  C30B 29/42 ,  C30B 33/02
FI (7)：
H01L21/324 Q ,  H01L21/324 G ,  H01L21/324 C ,  H01L21/324 X ,  H01L21/68 N ,  C30B29/42 ,  C30B33/02
F-Term (12)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE46 ,  4G077CD04 ,  4G077FE02 ,  4G077FE05 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031MA30 ,  5F031PA11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (26)
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Cited by examiner (19)
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